फास्ट स्विच थायरिस्टर

वर्णन:

फेज कंट्रोल थायरिस्टरची समान रचना आणि चिन्हासह फास्ट स्विच थायरिस्टर, तर सुधारणे, चॉपिंग, इन्व्हर्टर आणि फ्रिक्वेंसी कन्व्हर्जन सर्किटच्या उच्च वारंवारता अनुप्रयोगाद्वारे अधिक चांगली स्थिर वैशिष्ट्ये, विशेषत: डायनॅमिक वैशिष्ट्ये आवश्यक आहेत.फास्ट थायरिस्टरचे डायनॅमिक पॅरामीटर्स म्हणजे वेगवान टर्न-ऑन स्पीड आणि टर्न-ऑन विस्तार गती, कमी रिव्हर्स रिकव्हरी चार्ज आणि कमी टर्न-ऑफ वेळ, ऑन-स्टेट करंटचा उच्च गंभीर वाढीचा दर (di/dt) आणि गंभीर दर ऑफ-स्टेट व्होल्टेजची वाढ (dv/dt).रेट केलेल्या फ्रिक्वेंसीमध्ये वेगवान थायरिस्टरचा रेट केलेला प्रवाह वारंवारता वाढत असताना कमी होत नाही किंवा थोडा कमी होतो.

RUNAU Electronics चे फास्ट स्विच थायरिस्टर मॅन्युफॅक्चरिंग स्टँडर्ड आणि प्रोसेसिंग टेक्नॉलॉजी 1980 पासून यूएसए मधून आणली गेली होती, चीनमध्ये थायरिस्टर निर्मितीचा प्रणेता म्हणून RUNAU च्या तांत्रिक टीमने 30 वर्षांहून अधिक काळ अत्याधुनिक ज्ञान आणि पुरेसा उत्पादन अनुभव प्राप्त केला होता.पारंपारिक उत्पादन प्रक्रियेच्या मूलभूत आधारावर, RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्सच्या प्रतिभावान तंत्रज्ञांनी युरोपियन उत्पादनांच्या फायदेशीर वैशिष्ट्यांसह थायरिस्टर उत्पादनात अत्याधुनिक तंत्रज्ञान विकसित केले आहे, गुणवत्ता आणि कार्यप्रदर्शन मोठ्या प्रमाणात सुधारले आहे, पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स ऍप्लिकेशन्समध्ये अधिक मोठे विजय मिळवले आहेत, आणि भागीदारांसाठी अधिक मूल्य तयार केले गेले.

परिचय:

1. चिप

RUNAU Electronics द्वारे उत्पादित थायरिस्टर चिप हे सिंटर्ड मिश्रित तंत्रज्ञान वापरले जाते.उच्च व्हॅक्यूम आणि उच्च तापमान वातावरणात शुद्ध अॅल्युमिनियम (99.999%) द्वारे मिश्रित करण्यासाठी सिलिकॉन आणि मॉलिब्डेनम वेफरला सिंटर केले गेले.थायरिस्टरच्या गुणवत्तेवर परिणाम करणारे मुख्य घटक म्हणजे सिंटरिंग वैशिष्ट्यांचे प्रशासन.RUNAU Electronics चे ज्ञान या व्यतिरिक्त मिश्र धातुच्या जंक्शनची खोली, पृष्ठभाग सपाटपणा, मिश्रधातूची पोकळी तसेच संपूर्ण प्रसार कौशल्य, रिंग सर्कल पॅटर्न, विशेष गेट स्ट्रक्चर व्यवस्थापित करणे.तसेच यंत्राचे वाहक आयुष्य कमी करण्यासाठी विशेष प्रक्रिया वापरण्यात आली होती, ज्यामुळे अंतर्गत वाहक पुनर्संयोजन गती मोठ्या प्रमाणात वेगवान होते, डिव्हाइसचे रिव्हर्स रिकव्हरी चार्ज कमी होते आणि परिणामी स्विचिंग गती सुधारली जाते.अशी मोजमाप जलद स्विचिंग वैशिष्ट्ये, ऑन-स्टेट वैशिष्ट्ये आणि वर्तमान मालमत्तेला अनुकूल करण्यासाठी लागू केली गेली.थायरिस्टरचे कार्यप्रदर्शन आणि वहन ऑपरेशन विश्वसनीय आणि कार्यक्षम आहे.

2. एन्कॅप्सुलेशन

मॉलिब्डेनम वेफर आणि बाह्य पॅकेजच्या सपाटपणा आणि समांतरतेचे कठोर नियंत्रण करून, चिप आणि मॉलिब्डेनम वेफर बाह्य पॅकेजशी घट्ट आणि पूर्णपणे एकत्रित केले जातील.हे लाट प्रवाह आणि उच्च शॉर्ट सर्किट करंटचा प्रतिकार अनुकूल करेल.आणि सिलिकॉन वेफरच्या पृष्ठभागावर जाड अॅल्युमिनियम फिल्म तयार करण्यासाठी इलेक्ट्रॉन बाष्पीभवन तंत्रज्ञानाचे मापन वापरले गेले आणि मॉलिब्डेनमच्या पृष्ठभागावर रुथेनियमचा थर लावल्याने थर्मल थकवा प्रतिरोधक क्षमता मोठ्या प्रमाणात वाढेल, फास्ट स्विच थायरिस्टरच्या कामाच्या कालावधीत लक्षणीय वाढ होईल.

तांत्रिक तपशील

1. RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स, श्रेणी I द्वारे उत्पादित मिश्र धातु प्रकार चिपसह फास्ट स्विच थायरिस्टर_TAV200A ते 4000A आणि V_{डीआरएम}/V_{आरआरएम}1200V ते 4500V पर्यंत.
2. I_GT, व्ही_GTमी आणि_H25℃ वर चाचणी मूल्ये आहेत, अन्यथा नमूद केल्याशिवाय, इतर सर्व पॅरामीटर्स T अंतर्गत चाचणी मूल्ये आहेत_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= साइनसॉइडल हाफ वेव्ह करंट बेस रुंदी.50Hz वर, I²t=0.005I²FSM(A²एस);
4. 60Hz वर: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066, T_j=T_j;आय²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

पॅरामीटर: