फेज कंट्रोल थायरिस्टर (फ्री फ्लोटिंग प्रकार)

वर्णन:

कन्व्हर्टर उपकरणांची वाढती शक्ती आणि क्षमता, विशेषत: एचव्हीडीसी ट्रान्समिशनच्या विकासासह, युनिट थायरिस्टरची आउटपुट पॉवर क्षमता त्यानुसार वाढवण्याची विनंती केली जाते, ज्यामुळे मालिका आणि समांतर कनेक्शन सर्किटमध्ये थायरिस्टरची स्थापना प्रमाण कमी होईल.डिव्हाइसचा आकार आणि वजन कमी केले जाईल, कमी गुंतवणूक, अगदी वर्तमान आणि अगदी व्होल्टेज देखील सहज लक्षात येईल, विश्वसनीय ऑपरेशन आणि व्यावसायिक मूल्य लक्षणीय वाढेल.

हाय पॉवर हाय करंट थायरिस्टर तयार करण्यासाठी नियोजित फ्री फ्लोटिंग सिलिकॉन तंत्रज्ञान उच्च मानक अनुप्रयोग आवश्यकता पूर्ण करेल.आणि जुलै 2019 मध्ये, RUNAU Electronics ने 5” चिपसह 5200V thyristor यशस्वीरित्या विकसित केले आणि चीन HVDC प्रकल्पात अर्ज केलेल्या ग्राहकांना पुरवले.

परिचय:

1. चिप

RUNAU Electronics ने उत्पादित केलेली उच्च दर्जाची थायरिस्टर चिप फ्री फ्लोटिंग तंत्रज्ञान लागू आहे.हाय पॉवर हाय व्होल्टेज थायरिस्टरच्या निर्मितीसाठी हे अद्ययावत आणि परिपक्व तंत्रज्ञान म्हणून ओळखले जाते.हे सर्वात जागतिक दर्जाच्या उत्पादकांद्वारे मोठ्या प्रमाणावर लागू केले जाते.

व्होल्टेज रेझिस्टन्स वाढवण्यासाठी, ऑन-स्टेट व्होल्टेज ड्रॉप कमी करण्यासाठी आणि ट्रिगर आणि डायनॅमिक वैशिष्ट्ये सुधारण्यासाठी प्रसार प्रक्रिया घनता आणि रुंदीमध्ये ऑप्टिमाइझ केली गेली.नवीन फोटोलिथोग्राफी पॅटर्न di/dt आणि dv/dt वैशिष्ट्य वाढविण्यासाठी डिझाइन केले होते.सिलिकॉन वेफर आणि कॅथोड पृष्ठभागाच्या काठाचे संरक्षण करण्यासाठी चिपची संपर्क रचना पुन्हा तयार केली गेली, रिव्हर्स व्होल्टेज कार्यप्रदर्शन मोठ्या प्रमाणात सुधारले जाईल.

2. एन्कॅप्सुलेशन

फ्री फ्लोटिंग सिलिकॉन तंत्रज्ञानाचा फायदा म्हणजे सिलिकॉन आणि मॉलिब्डेनम वेफरमधील विकृती मोठ्या प्रमाणात रोखली जाते आणि मॉलिब्डेनम वेफरचा वापर कमी होतो.सिलिकॉन वेफरचा सपाटपणा आणि पॅकेजचा कॉपर ब्लॉक अत्यंत आवश्यक असताना, तसेच समांतरता आणि खडबडीतपणाची आवश्यकता मिश्रधातूच्या चिप तंत्रज्ञानापेक्षा जास्त आहे.सतत सुधारणा आणि नवनवीन संशोधन करून, RUNAU इलेक्ट्रॉनिकने सर्व तांत्रिक अडचणी आणि अडथळे दूर केले.फ्री फ्लोटिंग तंत्रज्ञान, उच्च पॉवर उच्च व्होल्टेज थायरिस्टर विश्वसनीय कामगिरीसह आणि व्यावसायिक कार्यक्षम समाधान विकसित केले गेले आणि ग्राहकांना प्रदान केले गेले.त्यापैकी बहुतेक हाय पॉवर कंट्रोलेबल रेक्टिफायर, हाय व्होल्टेज सॉफ्ट स्टार्टर, एचव्हीडीसी पॉवर ट्रान्समिशन, लोकोमोटिव्ह ट्रॅक्शन, डायनॅमिक रिऍक्टिव्ह पॉवर कॉम्पेन्सेशन आणि पल्स पॉवर अॅप्लिकेशन सिस्टममध्ये स्थापित केले आहेत.

तांत्रिक तपशील

1. RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स, श्रेणी I द्वारे निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिपसह फेज नियंत्रित थायरिस्टर_TAV350A ते 5580A आणि V_{डीआरएम}/V_{आरआरएम}3400V ते 8500V पर्यंत.
2. I_GT, व्ही_GTमी आणि_H25℃ वर चाचणी मूल्ये आहेत, अन्यथा नमूद केल्याशिवाय, इतर सर्व पॅरामीटर्स T अंतर्गत चाचणी मूल्ये आहेत_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= साइनसॉइडल हाफ वेव्ह करंट बेस रुंदी.50Hz वर, I²t=0.005I²FSM(A²एस);
4. 60Hz वर: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066, T_j=T_j;आय²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

पॅरामीटर: