पॉवर सेमीकंडक्टर उपकरणाचे नवीन प्रकारचे सिम्युलेशन डिझाइन प्लॅटफॉर्म नुकतेच Runau मध्ये स्थापित केले गेले.प्रगत सिम्युलेशन प्लॅटफॉर्म आणि एकत्रित चाचणी आणि विश्लेषणाच्या मदतीने, डिव्हाइस संरचना आणि संबंधित मूलभूत सिद्धांतावरील सखोल संशोधन फलदायीपणे पार पडले.अत्याधुनिक सिद्धांत आणि संशोधन प्लॅटफॉर्मच्या लाभामुळे कंपनीने 5” थायरिस्टर चिप, GTO आणि IGCT ची प्रमुख प्रक्रिया तंत्रज्ञान विकसित केली आणि त्यात प्रभुत्व मिळवले.थायरिस्टर, रेक्टिफायर डायोड, स्कॉटकी मॉड्यूल, IGCT, IGBT, हाय-व्होल्टेज आणि हाय-करंट थायरिस्टर तयार करण्याची संपूर्ण प्रक्रिया क्षमता तसेच अल्ट्रा-फास्ट रिकव्हरी डायोडसाठी पायलट टेस्ट प्लॅटफॉर्म तयार करण्यासाठी, हे सर्व Runau मध्ये यशस्वीरित्या उपलब्ध होते.चीनमध्‍ये पॉवर इलेक्‍ट्रॉनिक्‍स डिव्‍हाइसची निर्मिती करण्‍यासाठी आणखी एक ठोस पाऊल, आम्‍ही मार्गावर आहोत.