फेज कंट्रोल थायरिस्टर (अलॉयिंग प्रकार)

वर्णन:

थायरिस्टर, ज्याला सिलिकॉन कंट्रोल रेक्टिफायर (एससीआर) म्हणूनही ओळखले जाते, हे तीन पीएन स्ट्रक्चर्स असलेले उच्च-शक्ती सेमीकंडक्टर उपकरण आहे.कार्यक्षमतेच्या दृष्टीने, थायरिस्टरमध्ये केवळ दिशाहीन चालकता नाही, तर सिलिकॉन रेक्टिफायर घटकापेक्षा अधिक मौल्यवान नियंत्रणक्षमता देखील आहे, ज्याची केवळ दोन राज्ये प्रवाहकीय आणि ऑफ-स्टेट आहेत, लहान शक्तीसह मोठ्या शक्तीवर नियंत्रण ठेवण्यासाठी, शेकडो पर्यंत शक्ती वाढवणे किंवा हजारो वेळा.प्रतिक्रिया खूप जलद आहे, मायक्रो-सेकंदांमध्ये चालू आणि बंद होते.गैर-संपर्क ऑपरेशन, स्पार्क नाही, आवाज नाही, तर उच्च कार्यक्षमता आणि कमी खर्च.म्हणून, विशेषत: उच्च वीज पुरवठा प्रणालीमध्ये, थायरिस्टरचा वापर रेक्टिफायर सर्किट, स्टॅटिक बायपास स्विच, कॉन्टॅक्ट-फ्री आउटपुट स्विच आणि इतर सर्किट्समध्ये मोठ्या प्रमाणावर केला जातो.

RUNAU Electronics चे thyristor उत्पादन मानक आणि प्रक्रिया तंत्रज्ञान 1980 पासून यूएसए मधून आणले गेले होते, चीनमध्ये थायरिस्टर निर्मितीचा प्रणेता म्हणून, RUNAU च्या तांत्रिक टीमने 30 वर्षांहून अधिक काळ अत्याधुनिक ज्ञान आणि पुरेसा उत्पादन अनुभव प्राप्त केला होता.पारंपारिक उत्पादन प्रक्रियेच्या मूलभूत आधारावर, RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्सच्या प्रतिभावान तंत्रज्ञांनी युरोपियन उत्पादनांच्या फायदेशीर वैशिष्ट्यांसह थायरिस्टरच्या उत्पादनात अत्याधुनिक तंत्रज्ञान विकसित केले आहे, गुणवत्ता आणि कार्यप्रदर्शन मोठ्या प्रमाणात सुधारले आहे, पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सच्या वापरामध्ये अधिक मोठे विजय मिळवले आहेत. फील्ड, आणि भागीदारांसाठी अधिक मूल्य तयार केले गेले.

परिचय:

1. चिप

RUNAU Electronics द्वारे उत्पादित थायरिस्टर चिप हे सिंटर्ड मिश्रित तंत्रज्ञान वापरले जाते.उच्च व्हॅक्यूम आणि उच्च तापमान वातावरणात शुद्ध अॅल्युमिनियम (99.999%) द्वारे मिश्रित करण्यासाठी सिलिकॉन आणि मॉलिब्डेनम वेफरला सिंटर केले गेले.थायरिस्टरच्या गुणवत्तेवर परिणाम करणारे मुख्य घटक म्हणजे सिंटरिंग वैशिष्ट्यांचे प्रशासन.थायरिस्टरचे विश्वसनीय आणि उच्च कार्यक्षम वहन ऑपरेशन सक्षम करण्यासाठी मिश्रधातूच्या जंक्शनची खोली, पृष्ठभाग सपाटपणा, मिश्रधातूची पोकळी तसेच संपूर्ण प्रसार कौशल्य, केंद्र गेट, रिंग सर्कल पॅटर्न व्यवस्थापित करण्यासाठी RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्सचे ज्ञान कसे लागू केले गेले. उच्च दर्जाची कामगिरी सुनिश्चित करा.

2. एन्कॅप्सुलेशन

मॉलिब्डेनम वेफर आणि बाह्य पॅकेजच्या सपाटपणा आणि समांतरतेचे कठोर नियंत्रण करून, चिप आणि मॉलिब्डेनम वेफर बाह्य पॅकेजशी घट्ट आणि पूर्णपणे एकत्रित केले जातील.हे लाट प्रवाह आणि उच्च शॉर्ट सर्किट करंटचा प्रतिकार अनुकूल करेल.आणि सिलिकॉन वेफरच्या पृष्ठभागावर जाड अॅल्युमिनियम फिल्म तयार करण्यासाठी इलेक्ट्रॉन बाष्पीभवन तंत्रज्ञानाचे मोजमाप वापरले गेले आणि मॉलिब्डेनमच्या पृष्ठभागावर रुथेनियमचा थर लावल्याने थर्मल थकवा प्रतिरोधक क्षमता मोठ्या प्रमाणात वाढेल, थायरिस्टरचा कार्य कालावधी लक्षणीय वाढेल.

तांत्रिक तपशील

1. RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स, श्रेणी I द्वारे निर्मित मिश्र धातु प्रकार चिपसह फेज नियंत्रित थायरिस्टर_TAV300A ते 6000A आणि V_{डीआरएम}/V_{आरआरएम}800V ते 4400V पर्यंत.
2. I_GT, व्ही_GTमी आणि_H25℃ वर चाचणी मूल्ये आहेत, अन्यथा नमूद केल्याशिवाय, इतर सर्व पॅरामीटर्स T अंतर्गत चाचणी मूल्ये आहेत_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= साइनसॉइडल हाफ वेव्ह करंट बेस रुंदी.50Hz वर, I²t=0.005I²FSM(A²एस);
4. 60Hz वर: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066, T_j=T_j;आय²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

पॅरामीटर: