IGBT दाबा
प्रेस-पॅक IGBT (IEGT)
| TYPE | Vडीआरएम V | Vआरआरएम V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | ७०० | 2 | 4 | ≤२.२ | ≤१.२० | ≤0.50 | 125 | ०.०७५ |
| CSG07E1700 | १७०० | 16 | 240 | ७०० | १.५ | 4 | ≤2.5 | ≤१.२० | ≤0.50 | 125 | ०.०७५ |
| CSG15F2500 | २५०० | 17 | ५७० | १५०० | 3 | 10 | ≤२.८ | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | ०.०२७ |
| CSG20H2500 | २५०० | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤२.८ | ≤१.६६ | ≤0.57 | 125 | ०.०१७ |
| CSG25H2500 | २५०० | 16 | ८६७ | २५०० | 6 | 18 | ≤३.१ | ≤१.६६ | ≤0.57 | 125 | ०.०१७ |
| CSG30J2500 | २५०० | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | ०.०१२ |
| CSG10F2500 | २५०० | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤१.६६ | ≤0.57 | 125 | ०.०१७ |
| CSG06D4500 | ४५०० | 17 | 210 | 600 | 1 | ३.१ | ≤४.० | ≤१.९० | ≤0.50 | 125 | ०.०५ |
| CSG10F4500 | ४५०० | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤३.५ | १.९ | ≤0.35 | 125 | ०.०३ |
| CSG20H4500 | ४५०० | 16 | ७४५ | 2000 | 2 | 16 | ≤३.२ | ≤१.८ | ≤0.85 | 125 | ०.०१७ |
| CSG30J4500 | ४५०० | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤४.० | ≤२.२ | ≤0.60 | 125 | ०.०१२ |
| CSG40L4500 | ४५०० | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤४.० | ≤२.१ | ≤0.58 | 125 | ०.०११ |
टीप:D- d सहआयोड भाग, ए-डायोड भागाशिवाय
पारंपारिकपणे, लवचिक डीसी ट्रान्समिशन सिस्टमच्या स्विच गियरमध्ये सोल्डर संपर्क IGBT मॉड्यूल लागू केले गेले.मॉड्यूल पॅकेज सिंगल साइड हीट डिसिपेशन आहे.यंत्राची उर्जा क्षमता मर्यादित आहे आणि मालिकेत जोडणे योग्य नाही, खारट हवेतील खराब आयुष्य, खराब कंपन विरोधी शॉक किंवा थर्मल थकवा.
नवीन प्रकारचे प्रेस-कॉन्टॅक्ट हाय-पॉवर प्रेस-पॅक IGBT डिव्हाइस सोल्डरिंग प्रक्रियेतील रिक्त जागा, सोल्डरिंग सामग्रीचा थर्मल थकवा आणि एकतर्फी उष्णता अपव्यय करण्याची कमी कार्यक्षमता या समस्या पूर्णपणे सोडवतेच पण विविध घटकांमधील थर्मल प्रतिरोध देखील दूर करते, आकार आणि वजन कमी करा.आणि IGBT उपकरणाची कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता लक्षणीयरीत्या सुधारते.लवचिक डीसी ट्रांसमिशन सिस्टमच्या उच्च-शक्ती, उच्च-व्होल्टेज, उच्च-विश्वसनीयता आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी हे खूपच योग्य आहे.
प्रेस-पॅक IGBT द्वारे सोल्डर संपर्क प्रकार बदलणे अत्यावश्यक आहे.
2010 पासून, Runau Electronics ला नवीन प्रकारचे प्रेस-पॅक IGBT उपकरण विकसित करण्यासाठी आणि 2013 मध्ये उत्पादन यशस्वी करण्यासाठी विस्तृत केले गेले. कामगिरी राष्ट्रीय पात्रतेद्वारे प्रमाणित करण्यात आली आणि कट-एज उपलब्धी पूर्ण झाली.
आता आम्ही 600A ते 3000A आणि VCES श्रेणी 1700V ते 6500V मध्ये IC श्रेणीचे IGBT चे सीरीज प्रेस-पॅक तयार करू शकतो आणि प्रदान करू शकतो.चीनमध्ये बनवलेले प्रेस-पॅक IGBT चा चीनमध्ये लवचिक डीसी ट्रान्समिशन सिस्टीम लागू होण्याची दाट शक्यता आहे आणि ती हाय-स्पीड इलेक्ट्रिक ट्रेननंतर चीन पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगातील आणखी एक जागतिक दर्जाचा मैलाचा दगड ठरेल.
ठराविक मोडचा संक्षिप्त परिचय:
1. मोड: IGBT CSG07E1700 दाबा
●पॅकेजिंग आणि दाबल्यानंतर इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्ये
● उलटसमांतरजोडलेलेजलद पुनर्प्राप्ती डायोडनिष्कर्ष काढला
● पॅरामीटर:
रेट केलेले मूल्य (25℃)
aकलेक्टर एमिटर व्होल्टेज: VGES=1700（V）
bगेट एमिटर व्होल्टेज: VCES=±20（V）
cकलेक्टर वर्तमान: IC=800（A）ICP=1600（A）
dकलेक्टर पॉवर डिसिपेशन: PC=4440（W）
eकार्यरत जंक्शन तापमान: Tj=－20~125℃
fस्टोरेज तापमान: Tstg=－40~125℃
नोंद: रेट केलेल्या मूल्यापेक्षा जास्त असल्यास डिव्हाइस खराब होईल
इलेक्ट्रिकलCगुणविशेष, TC＝125℃，Rth (च्या थर्मल प्रतिकारला जंक्शनकेस)समाविष्ट नाही
aगेट लीकेज वर्तमान: IGES=±5（μA）
bकलेक्टर एमिटर ब्लॉकिंग करंट ICES=250（mA）
cकलेक्टर एमिटर सॅचुरेशन व्होल्टेज: VCE(sat)=6(V)
dगेट एमिटर थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: VGE(th)=10(V)
eवेळ चालू करा: टन = 2.5μs
fबंद करण्याची वेळ: Toff=3μs
2. मोड: प्रेस-पॅक IGBT CSG10F2500
●पॅकेजिंग आणि दाबल्यानंतर इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्ये
● उलटसमांतरजोडलेलेजलद पुनर्प्राप्ती डायोडनिष्कर्ष काढला
● पॅरामीटर:
रेट केलेले मूल्य (25℃)
aकलेक्टर एमिटर व्होल्टेज: VGES=2500（V）
bगेट एमिटर व्होल्टेज: VCES=±20（V）
cसंग्राहक वर्तमान: IC=600（A）ICP=2000（A）
dकलेक्टर पॉवर डिसिपेशन: PC=4800（W）
eकार्यरत जंक्शन तापमान: Tj=－40~125℃
fस्टोरेज तापमान: Tstg=－40~125℃
नोंद: रेट केलेल्या मूल्यापेक्षा जास्त असल्यास डिव्हाइस खराब होईल
इलेक्ट्रिकलCगुणविशेष, TC＝125℃，Rth (च्या थर्मल प्रतिकारला जंक्शनकेस)समाविष्ट नाही
aगेट लीकेज वर्तमान: IGES=±15（μA）
bकलेक्टर एमिटर ब्लॉकिंग करंट ICES=25（mA）
cकलेक्टर एमिटर सॅचुरेशन व्होल्टेज: VCE(sat)=3.2 (V)
dगेट एमिटर थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: VGE(th)=6.3(V)
eवेळ चालू करा: टन=3.2μs
fबंद करण्याची वेळ: Toff=9.8μs
gडायोड फॉरवर्ड व्होल्टेज: VF=3.2 V
hडायोड रिव्हर्स रिकव्हरी वेळ: Trr=1.0 μs
3. मोड: प्रेस-पॅक IGBT CSG10F4500
●पॅकेजिंग आणि दाबल्यानंतर इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्ये
● उलटसमांतरजोडलेलेजलद पुनर्प्राप्ती डायोडनिष्कर्ष काढला
● पॅरामीटर:
रेट केलेले मूल्य (25℃)
aकलेक्टर एमिटर व्होल्टेज: VGES=4500（V）
bगेट एमिटर व्होल्टेज: VCES=±20（V）
cसंग्राहक वर्तमान: IC=600（A）ICP=2000（A）
dकलेक्टर पॉवर डिसिपेशन: PC=7700（W）
eकार्यरत जंक्शन तापमान: Tj=－40~125℃
fस्टोरेज तापमान: Tstg=－40~125℃
नोंद: रेट केलेल्या मूल्यापेक्षा जास्त असल्यास डिव्हाइस खराब होईल
इलेक्ट्रिकलCगुणविशेष, TC＝125℃，Rth (च्या थर्मल प्रतिकारला जंक्शनकेस)समाविष्ट नाही
aगेट लीकेज वर्तमान: IGES=±15（μA）
bकलेक्टर एमिटर ब्लॉकिंग करंट ICES=50（mA）
cकलेक्टर एमिटर सॅचुरेशन व्होल्टेज: VCE(sat)=3.9 (V)
dगेट एमिटर थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: VGE(th)=5.2 (V)
eवेळ चालू करा: टन=5.5μs
fबंद करण्याची वेळ: Toff=5.5μs
gडायोड फॉरवर्ड व्होल्टेज: VF=3.8 V
hडायोड रिव्हर्स रिकव्हरी वेळ: Trr=2.0 μs
टीप:प्रेस-पॅक IGBT दीर्घकालीन उच्च यांत्रिक विश्वासार्हता, नुकसानास उच्च प्रतिकार आणि प्रेस कनेक्ट स्ट्रक्चरची वैशिष्ट्ये, मालिका डिव्हाइसमध्ये वापरण्यास सोयीस्कर आहे आणि पारंपारिक GTO थायरिस्टरच्या तुलनेत, IGBT ही व्होल्टेज-ड्राइव्ह पद्धत आहे. .म्हणून, ऑपरेट करणे सोपे, सुरक्षित आणि विस्तृत ऑपरेटिंग श्रेणी आहे.