थायरिस्टर चिप
थायरिस्टर चिप
RUNAU Electronics द्वारे निर्मित थायरिस्टर चिप मूळत: GE प्रक्रिया मानक आणि तंत्रज्ञानाद्वारे सादर केली गेली होती जी यूएसए ऍप्लिकेशन मानकांचे पालन करते आणि जगभरातील क्लायंटद्वारे पात्र आहे.हे मजबूत थर्मल थकवा प्रतिरोधक वैशिष्ट्ये, दीर्घ सेवा आयुष्य, उच्च व्होल्टेज, मोठा प्रवाह, मजबूत पर्यावरणीय अनुकूलता इत्यादींमध्ये वैशिष्ट्यीकृत आहे. 2010 मध्ये, RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्सने थायरिस्टर चिपचा नवीन नमुना विकसित केला ज्याने GE आणि युरोपियन तंत्रज्ञानाचा पारंपारिक फायदा, कार्यक्षमता आणि कार्यक्षमता मोठ्या प्रमाणात ऑप्टिमाइझ केली गेली.
पॅरामीटर:
| व्यासाचा mm | जाडी mm | विद्युतदाब V | गेट दिया. mm | कॅथोड इनर डाय. mm | कॅथोड आउट दीया. mm | Tjm ℃ |
| २५.४ | १.५±०.१ | ≤2000 | 2.5 | ५.६ | २०.३ | 125 |
| २५.४ | 1.6-1.8 | 2200-3500 | २.६ | ५.६ | १५.९ | 125 |
| २९.७२ | 2±0.1 | ≤2000 | ३.३ | ७.७ | २४.५ | 125 |
| 32 | 2±0.1 | ≤2000 | ३.३ | ७.७ | २६.१ | 125 |
| 35 | 2±0.1 | ≤2000 | ३.८ | ७.६ | 29.1 | 125 |
| 35 | २.१-२.४ | 2200-4200 | ३.८ | ७.६ | २४.९ | 125 |
| ३८.१ | 2±0.1 | ≤2000 | ३.३ | ७.७ | ३२.८ | 125 |
| 40 | 2±0.1 | ≤2000 | ३.३ | ७.७ | ३३.९ | 125 |
| 40 | २.१-२.४ | 2200-4200 | ३.५ | ८.१ | ३०.७ | 125 |
| 45 | 2.3±0.1 | ≤2000 | ३.६ | ८.८ | ३७.९ | 125 |
| ५०.८ | 2.5±0.1 | ≤2000 | ३.६ | ८.८ | ४३.३ | 125 |
| ५०.८ | 2.6-2.9 | 2200-4200 | ३.८ | ८.६ | ४१.५ | 125 |
| ५०.८ | 2.6-2.8 | 2600-3500 | ३.३ | 7 | ४१.५ | 125 |
| 55 | 2.5±0.1 | ≤2000 | ३.३ | ८.८ | ४७.३ | 125 |
| 55 | 2.5-2.9 | ≤४२०० | ३.८ | ८.६ | ४५.७ | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤४२०० | ३.८ | ८.६ | ४९.८ | 125 |
| ६३.५ | २.७-३.१ | ≤४२०० | ३.८ | ८.६ | ५३.४ | 125 |
| 70 | ३.०-३.४ | ≤४२०० | ५.२ | १०.१ | ५९.९ | 125 |
| 76 | ३.५-४.१ | ≤४८०० | ५.२ | १०.१ | ६५.१ | 125 |
| 89 | ४-४.४ | ≤४२०० | ५.२ | १०.१ | ७७.७ | 125 |
| 99 | ४.५-४.८ | ≤३५०० | ५.२ | १०.१ | ८७.७ | 125 |
तांत्रिक तपशील:
RUNAU इलेक्ट्रॉनिक्स फेज कंट्रोल्ड थायरिस्टर आणि फास्ट स्विच थायरिस्टरच्या पॉवर सेमीकंडक्टर चिप्स पुरवते.
1. कमी ऑन-स्टेट व्होल्टेज ड्रॉप
2. अॅल्युमिनियमच्या थराची जाडी 10 मायक्रॉनपेक्षा जास्त आहे
3. डबल लेयर संरक्षण मेसा
टिपा:
1. चांगली कामगिरी राहण्यासाठी, मॉलिब्डेनमच्या तुकड्यांच्या ऑक्सिडेशन आणि आर्द्रतेमुळे व्होल्टेज बदल टाळण्यासाठी चिप नायट्रोजन किंवा व्हॅक्यूम स्थितीत संग्रहित केली पाहिजे.
2. चिप पृष्ठभाग नेहमी स्वच्छ ठेवा, कृपया हातमोजे घाला आणि उघड्या हातांनी चिपला स्पर्श करू नका
3. वापरण्याच्या प्रक्रियेत काळजीपूर्वक कार्य करा.गेट आणि कॅथोडच्या खांबाच्या भागात चिपच्या राळ काठाच्या पृष्ठभागाला आणि अॅल्युमिनियमच्या थराला नुकसान करू नका.
4. चाचणी किंवा एन्कॅप्स्युलेशनमध्ये, कृपया लक्षात घ्या की समांतरता, सपाटपणा आणि क्लॅम्प फोर्स फिक्स्चर निर्दिष्ट मानकांशी एकरूप असणे आवश्यक आहे.खराब समांतरतेचा परिणाम असमान दबाव आणि शक्तीने चिप खराब होईल.जास्त क्लॅम्प फोर्स लावल्यास, चिप सहजपणे खराब होईल.जर लादलेली क्लॅम्प फोर्स खूपच लहान असेल, तर खराब संपर्क आणि उष्णता नष्ट होणे अनुप्रयोगावर परिणाम करेल.
5. चिपच्या कॅथोड पृष्ठभागाच्या संपर्कात असलेल्या दाब ब्लॉकला एनील्ड करणे आवश्यक आहे
क्लॅम्प फोर्सची शिफारस करा
| चिप्स आकार | क्लॅम्प सक्तीची शिफारस |
| (KN)±10% | |
| Φ25.4 | 4 |
| Φ30 किंवा Φ30.48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 किंवा Φ40 | १५ |
| Φ50.8 | २४ |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | २८ |
| Φ63.5 | ३० |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | ४५ |
| Φ९९ | ६५ |